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Si5858DU
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
V GS = 3 V thru 5 V
10
16
V GS = 2.5 V
8
12
8
V GS = 2 V
V GS = 1.5 V
6
4
T C = 125 °C
4
2
25 °C
0
V GS = 1 V
0
- 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.08
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
800
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.07
0.06
V GS = 4.5 V
600
C iss
0.05
V GS = 2.5 V
0.04
0.03
V GS = 1.8 V
400
0.02
0.01
0.00
200
0
C rss
C oss
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
I D = 4.4 A
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
6
4
V DS = 10 V
1.4
1.2
I D = 4.4 A
V DS = 16 V
1.0
2
0.8
0
0.6
0
3
6
9
12
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 73460
S09-2111-Rev. C, 12-Oct-09
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